毫米波器件制造工艺与封装 · 5G毫米波(FR2)通信技术与设备

毫米波器件制造工艺与封装:GaAs/GaN 晶圆代工、AiP/扇出封装、高频 PCB/基板、SMT/模组组装。覆盖GaN、AiP、LCP、SMT,提供选型表、规格评估与定制方案,符合 JEDEC、IPC-6012/6013、IATF 16949 等标准。

技术文章
规格覆盖GaN、AiP
标准符合JEDEC
30篇技术文章
定制数周

选型与指南

工程师视角的选型要点。

选型指南

按场景选毫米波器件制造工艺与封装。

技术文章

工程师视角的真实问题。

规格速查

核心参数一览。

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四大产品线

毫米波器件制造工艺与封装 核心产品线。

产品线1
GaAs/GaN 晶圆代工

GaAs/GaN 晶圆代工

GaAs/GaN 晶圆代工(4–6 英寸,适用射频前端)。性能高;短板:周期长。

产品线2
AiP/扇出封装

AiP/扇出封装

AiP/扇出封装(天线集成,适用异构集成)。集成度高;短板:良率挑战。

产品线3
高频 PCB/基板

高频 PCB/基板

高频 PCB/基板(低损耗材料,适用罗杰斯/LCP)。损耗低;短板:板材贵。

产品线4
SMT/模组组装

SMT/模组组装

SMT/模组组装(0201 级,适用贴装调测)。产能足;短板:精度要求。

认证与合规

适用标准与体系认证。

JEDECIPC-6012/6013IATF 16949

为什么选我们

我们长期专注于该领域,提供从选型、打样到量产的全程技术支持。

JEDECIPC-6012/6013IATF 16949

技术文章

工程师视角的真实问题。

常见问题

采购与工程师高频问题。

毫米波器件制造工艺与封装的晶圆工艺是多少?
典型 GaN HEMT 0.15–0.25μm,随工况与配置变化,以实测为准。
毫米波器件制造工艺与封装的良率是多少?
典型 射频芯片 80–95%,随工况与配置变化,以实测为准。
毫米波器件制造工艺与封装的封装是多少?
典型 AiP/FCBGA,随工况与配置变化,以实测为准。
毫米波器件制造工艺与封装的基板损耗是多少?
典型 Df <0.002,随工况与配置变化,以实测为准。
需要符合哪些标准?
视行业而定,常见为 JEDEC、IPC-6012/6013;运营商入库另要求一致性认证。
如何选型?
先锁定频段与带宽余量、通道数、EIRP 与功耗预算,再按本文档的选型表逐项比对。
能否定制?
可按项目定制频段、通道数或行业方案,需评估原型与认证周期。
交付周期多长?
标准方案小批量快,定制或认证数周至数月。
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